BSC050N04LS G, МОП-Транзистор 40 В 85 А 2,5 Вт 7,2 мОм при 4,5 В, 50 А 2 В при 27мкА N-канальные МОП-Транзистор TDSON-8(6x5)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017631858
- Артикул
- BSC050N04LS G
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Fall Time:
- 4.2 ns
- Rise Time:
- 3.8 ns
- Вес, г
- 0.19
Цена по запросу
(от 99 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
40 В 85 А 2,5 Вт 7.2mOhm@4.5V,50 A 2 В при 27uA 1 шт. канальныx МОП-транзисторов TDSON-8-EP(5x6) ROHS
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Fall Time: | 4.2 ns |
| Rise Time: | 3.8 ns |
| Вес, г | 0.19 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Package/Case: | TDSON-8 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | SP000354806 BSC5N4LSGXT BSC050N04LSGATMA1 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 47 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 57 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 6.4 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 26 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 85 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 50 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 4.2 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.2 V |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 85 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 7.2 мОм |