N-Channel MOSFET, 88 A, 30 V PG-TDSON-8 BSC0503NSIATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8033001591
- Артикул
- BSC0503NSIATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Type
- null
- Military
- No
- Packaging
- Tape and Reel
- Pin Count
- 8
Цена по запросу
(от 307,10 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Семейство устройств Infineon OptiMOS 5 напряжением 25 В и 30 В предлагает эталонные решения, обеспечивающие высочайшую плотность мощности и энергоэффективность как в режиме ожидания, так и в режиме полной готовности.
Технические параметры
| Type | null |
| Military | No |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 8 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 1 |
| Channel Type | N |
| Package Type | PG-TDSON-8 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Package | TDSON EP |
| Process Technology | OptiMOS 5 |
| Структура | N-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 2.5W;36W |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 20nC@10V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.3nF@15V |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 22A;88A |
| Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
| Maximum Continuous Drain Current | 88 A |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 2500 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 7.1@4.5V |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | 20 |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 30 |
| Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | 2 |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 22 |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 960@15V |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 3@10V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 88 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±16В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 3mΩ@30A, 10V |