BSC0502NSIATMA1, MOSFETs IFX FET 15V-30V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004635321
- Артикул
- BSC0502NSIATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series
- OptiMOS 5
- Series:
- OptiMOS 5
- Pin Count
- 8
Цена по запросу
(от 124,59 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Зарядные устройства и адаптеры USB-C Infineon Technologies предлагает полупроводниковые приборы, изготовленные по индивидуальному заказу с учетом приоритетов клиентов - цена/производительность в сочетании со сверxвысокой плотностью энергопотребления. Ассортимент включает в себя всю линейку продуктов с интерфейсом USB-C, начиная от высоковольтныx выключателей питания и заканчивая ШИМ-контроллерами, контроллерами USB-C для подачи питания, а также устройствами защиты от электростатического разряда.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 |
| Series: | OptiMOS 5 |
| Pin Count | 8 |
| Fall Time: | 3 ns |
| Rise Time: | 4 ns |
| Tradename: | OptiMOS |
| Вес, г | 0.12 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SuperSO8 5x6 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TDSON-8 |
| Part # Aliases: | BSC0502NSI SP001288142 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 26 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 43 W |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 4 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 19 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 100 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 65 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0023 O |
| Maximum Continuous Drain Current | 100 A |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±16В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 2.3 mOhms |