Моя заявка (0)

N-Channel MOSFET, 130 A, 30 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 BSC0501NSIATMA1

N-Channel MOSFET, 130 A, 30 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 BSC0501NSIATMA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014772877
Артикул
BSC0501NSIATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Pin Count
8
Вес, г
1
Длина
5.9 mm
Серия
OptiMOS 5
Цена по запросу
(от 110 ₽)
Минимальный заказ: 5000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

5-канальный силовой МОП-транзистор Infineon OptiMOS™ имеет напряжение источника стока 30 В (VDS) и ток стока 130 А (ID).

Технические параметры

Pin Count8
Вес, г1
Длина5.9 mm
СерияOptiMOS 5
Channel TypeN
Package TypeSuperSO8 5x6
Высота1.27 mm
Ширина5.15 mm
Mounting TypeSurface Mount
УпаковкаReel, Cut Tape
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада3 ns
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
ПодкатегорияMOSFETs
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаInfineon Technologies
Упаковка / блокTDSON-8
Maximum Drain Source Voltage30 V
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора33 nC
Время нарастания4 ns
Maximum Continuous Drain Current130 A
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности50 W
Другие названия товара №BSC0501NSI SP001288140
Id - непрерывный ток утечки130 A
Коммерческое обозначениеOptiMOS
Размер фабричной упаковки5000
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток1.9 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения22 ns
Типичное время задержки при включении4 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А130
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.75 S
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт50
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±16В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0015 Ом

Техническая документация