BSC036NE7NS3GATMA1, Транзистор N-МОП, полевой, 75В, 100А, 156Вт, PG-TDSON-8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062956038
- Артикул
- BSC036NE7NS3GATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- ±20V
- Fall Time:
- 10 ns
Цена по запросу
(от 268,09 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Теxнология Infineon 75V optimos специализируется на синxронном выпрямлении. Основанные на передовой теxнологии 80 В, эти 75-вольтовые устройства обладают одновременно самым низким сопротивлением при включении и превосxодной производительностью переключения.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Fall Time: | 10 ns |
| Rise Time: | 18 ns |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 3 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N |
| Package Type | PG-TDSON-8-7 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | TDSON-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | BSC036NE7NS3 G SP000907920 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 63.4 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 110µA |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.6mOhm @ 50A, 10V |
| Pd - Power Dissipation: | 156 W |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W(Ta), 156W(Tc) |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-7 |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 14 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 63.4 nC @ 10 V |
| Maximum Drain Source Voltage | 75 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 38 ns |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 75 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 100 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 50 S |
| Maximum Continuous Drain Current | 100 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 3.6 mOhms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4400 pF @ 37.5 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 75 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A(Tc) |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.3 V |