BSC036NE7NS3 G, TDSON-8-EP(6x5) MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017631853
- Артикул
- BSC036NE7NS3 G
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Вес, г
- 0.19
- Длина
- 5.9 mm
- Серия
- OptiMOS 3
- Высота
- 1.27 mm
Цена по запросу
(от 91,20 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор N-Ch 75V 100A TDSON-8
Технические параметры
| Вес, г | 0.19 |
| Длина | 5.9 mm |
| Серия | OptiMOS 3 |
| Высота | 1.27 mm |
| Ширина | 5.15 mm |
| Структура | MOSFET |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 10 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single Quad Drain Triple Source |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | PG-TDSON-8 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 63.4 nC |
| Время нарастания | 18 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 156 W |
| Другие названия товара № | BSC036NE7NS3GATMA1 BSC36NE7NS3GXT SP000907920 |
| Id - непрерывный ток утечки | 100 A |
| Коммерческое обозначение | OptiMOS |
| Размер фабричной упаковки | 5000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 3.6 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 75 V |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 38 ns |
| Типичное время задержки при включении | 14 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.3 V |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 50 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 69 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |