Моя заявка (0)

BSC035N10NS5ATMA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 100В, 100А, 156Вт, Ugs ±20В

BSC035N10NS5ATMA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 100В, 100А, 156Вт, Ugs ±20В

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070062319
Артикул
BSC035N10NS5ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Width
6.35mm
Series
OptiMOSв(ў
FET Type
N-Channel
Packaging
Tape & Reel(TR)
Цена по запросу
(от 353,54 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Infineon BSC035N10NS5 - это МОП-транзистор мощностью 100 В OptiMOS 5, оптимизированный для синxронного выпрямления и идеально подxодящий для работы с высокой частотой переключения.

Технические параметры

Width6.35mm
SeriesOptiMOSв(ў
FET TypeN-Channel
PackagingTape & Reel(TR)
Pin Count8
Vgs (Max)В±20V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г0.5
FET Feature-
Part StatusActive
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ManufacturerInfineon Technologies
Package TypeTDSON
Mounting TypeSurface Mount
Package / Case8-PowerTDFN
Standard Package5
Vgs(th) (Max) @ Id3.8V @ 115ВµA
Forward Diode Voltage1.1V
Operating Temperature-55В°C ~ 150В°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.5 mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max)2.5W(Ta), 156W(Tc)
Supplier Device PackagePG-TDSON-8
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation156 W
Typical Gate Charge @ Vgs70 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage20 V
Number of Elements per Chip1
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs87nC @ 10V
Maximum Drain Source Voltage100 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Maximum Gate Threshold Voltage3.8V
Minimum Gate Threshold Voltage2.2V
Maximum Drain Source Resistance3.5 mΩ
Maximum Continuous Drain Current100 A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6500pF @ 50V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C100A(Tc)

Техническая документация