BSC035N04LSGATMA1, Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001293241
- Артикул
- BSC035N04LSGATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- PPAP
- No
- Width
- 6.35mm
- Series
- OptiMOS 3
- EU RoHS
- Compliant with Exemption
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой BSC035N04LSGATMA1 от производителя INFINEON является высокоэффективным компонентом для современной электроники. Модель обеспечивает ток стока до 92А и поддерживает напряжение сток-исток на уровне 40В, что позволяет использовать его в мощных применениях. Мощность устройства составляет 69Вт, а низкое сопротивление в открытом состоянии, всего 0,0035 Ом, обеспечивает высокую эффективность и экономию энергии. Корпус PG-TDSON-8 и монтаж SMD обеспечивают удобство интеграции в печатные платы. Транзистор BSC035N04LSGATMA1 идеально подходит для широкого спектра электронного оборудования благодаря своим впечатляющим характеристикам и надежности от ведущего производителя в индустрии полупроводников. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 92 Напряжение сток-исток, В 40 Мощность, Вт 69 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.0035 Корпус PG-TDSON-8
Технические параметры
| PPAP | No |
| Width | 6.35mm |
| Series | OptiMOS 3 |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 8 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | No Lead |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 8 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TDSON |
| Configuration | Single Quad Drain Triple Source |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | TDSON EP |
| Process Technology | OptiMOS |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Standard Package Name | SON |
| Typical Fall Time (ns) | 5 |
| Typical Rise Time (ns) | 4.6 |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 69 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 48 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2500 |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.2V |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 48 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 23 4.5V|48 10V |
| Maximum Drain Source Resistance | 5.3 mΩ |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 7.9 |
| Maximum Continuous Drain Current | 100 A |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 40 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 31 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 2 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 21 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 3800 20V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 3.5 10V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 21 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |