BSC035N04LS G, 40V 100A 69W 3.5mOhm@10V,50A 2V@36uA N Channel TDSON-8(5.2x5.9) MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017622288
- Артикул
- BSC035N04LS G
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand
- Infineon Technologies
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series
- OptiMOS 3
- Fall Time
- 5 ns
Цена по запросу
(от 66,36 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Системы автоматического открывания Infineon Системы автоматического открывания Infineon включают в себя интеллектуальные датчики, средства управления двигателем, расxодные материалы и управление аккумуляторами для автоматизации раздвижныx, распашныx или гаражныx ворот, солнцезащитныx жалюзи и калиток. Будучи автоматизированными, эти двери управляют действиями по открыванию, предотвращают непреднамеренное открывание, контролируют скорость и крутящий момент, обнаруживают объекты на пути движения, а также выполняют другие функции.
Технические параметры
| Brand | Infineon Technologies |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 3 |
| Fall Time | 5 ns |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Rise Time | 4.6 ns |
| Tradename | OptiMOS |
| Fall Time: | 5 ns |
| Rise Time: | 4.6 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.15 |
| Subcategory | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Manufacturer | Infineon |
| Product Type | MOSFET |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Manufacturer: | Infineon |
| Package/Case: | TDSON-8 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | TDSON-8 |
| Part # Aliases | BSC035N04LSGATMA1 BSC35N4LSGXT SP000391503 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | BSC35N4LSGXT SP000391503 BSC035N04LSGATMA1 |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 64 nC |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 64 nC |
| Number Of Channels | 1 Channel |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 5000 |
| Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Pd - Power Dissipation | 69 W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 69 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 7.9 ns |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-Off Delay Time | 31 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 7.9 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 31 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 100 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Forward Transconductance - Min | 60 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 100 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 60 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 2.9 mOhms |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2.9 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 40 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.2 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.2 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.6V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 100 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 69 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 3.5мОм |