BSC032NE2LSATMA1, Power MOSFET, N Channel, 25 V, 84 A, 0.0027 ohm, TDSON, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8378811819
- Артикул
- BSC032NE2LSATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- RoHS
- Details
- Brand
- Infineon Technologies
- Width
- 5.15 mm
- Brand:
- Infineon Technologies
Цена по запросу
(от 123 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор N-Ch 25V 84A TDSON-8 OptiMOS
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | Infineon Technologies |
| Width | 5.15 mm |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Height | 1.27 mm |
| Length | 5.9 mm |
| Series | OptiMOS |
| Fall Time | 2.2 ns |
| Packaging | Reel |
| Pin Count | 8 |
| Rise Time | 2.8 ns |
| Tradename | OptiMOS |
| Fall Time: | 2.2 ns |
| Rise Time: | 2.8 ns |
| Technology | Si |
| Tradename: | OptiMOS |
| Вес, г | 0.389 |
| Длина | 5.9 mm |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | Infineon |
| Package Type | SuperSO8 5x6 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Высота | 1.27 mm |
| Ширина | 5.15 mm |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | 1 N-Channel |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | TDSON-8 |
| Part # Aliases | BSC032NE2LSATMA1 BSC032NE2LSXT SP000854378 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TDSON-8 |
| Part # Aliases: | BSC032NE2LS SP000854378 |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 21 nC |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 21 nC |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Технология | Si |
| Factory Pack Quantity | 5000 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 2.2 ns |
| Pd - Power Dissipation | 37 W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 37 W |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 3.3 ns |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-Off Delay Time | 15 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 3.3 ns |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | TDSON-8 |
| Maximum Drain Source Voltage | 25 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 15 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 84 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Forward Transconductance - Min | 46 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 84 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Qg - заряд затвора | 21 nC |
| Forward Transconductance - Min: | 46 S |
| Время нарастания | 2.8 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 84 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 2.7 mOhms |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2.7 mOhms |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 25 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 25 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.2 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.2 V |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 37 W |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Другие названия товара № | BSC32NE2LSXT SP000854378 BSC032NE2LSATMA1 |
| Id - непрерывный ток утечки | 84 A |
| Коммерческое обозначение | OptiMOS |
| Размер фабричной упаковки | 5000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.7 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 25 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 15 ns |
| Типичное время задержки при включении | 3.3 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.2 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 25 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 84 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 46 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 37 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±16В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0027 Ом |