BSC032N04LS, 40V 21A 3.2mOhm@10V,50A 2.5W 2V@250uA N Channel TDSON-8(6x5) MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017611840
- Артикул
- BSC032N04LS
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Type
- 1PCSNChannel
- Brand:
- Infineon Technologies
- Fall Time:
- 3 ns
- Rise Time:
- 4 ns
Цена по запросу
(от 112,08 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
40 В 21 А 3.2mOhm@10V,50 2,5 Вт 2 В при 250 мкА, 1 шт. канальныx МОП-транзисторов TDSON-8-EP(5x6), ROHS
Технические параметры
| Type | 1PCSNChannel |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Fall Time: | 3 ns |
| Rise Time: | 4 ns |
| Вес, г | 0.16 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Package/Case: | TDSON-8 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | SP001067018 BSC032N04LSATMA1 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 25 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Power Dissipation (Pd) | 2.5W;52W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 52 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 2V @ 250uA |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 25nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 4 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.8nF@20V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 19 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 21A;98A |
| Id - Continuous Drain Current: | 98 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 75 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 3.2mО© @ 50A,10V |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 3.2 mOhms |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 2.5W |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 40V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 21A |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.2 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 21 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 3.2mΩ@50A, 10V |