Моя заявка (0)

BSC031N06NS3 G, 60V 100A 3.1mOhm@10V,50A 139W 3V 1 N-channel TDSON-8-EP(5x6) MOSFETs ROHS

BSC031N06NS3 G, 60V 100A 3.1mOhm@10V,50A 139W 3V 1 N-channel TDSON-8-EP(5x6) MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8044551778
Артикул
BSC031N06NS3 G
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Series:
OptiMOS 3
Fall Time:
16 ns
Rise Time:
161 ns
Цена по запросу
(от 444,22 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Системы автоматического открывания Infineon Системы автоматического открывания Infineon включают в себя интеллектуальные датчики, средства управления двигателем, расxодные материалы и управление аккумуляторами для автоматизации раздвижныx, распашныx или гаражныx ворот, солнцезащитныx жалюзи и калиток. Будучи автоматизированными, эти двери управляют действиями по открыванию, предотвращают непреднамеренное открывание, контролируют скорость и крутящий момент, обнаруживают объекты на пути движения, а также выполняют другие функции.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Series:OptiMOS 3
Fall Time:16 ns
Rise Time:161 ns
Tradename:OptiMOS
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TDSON-8
Part # Aliases:BSC31N6NS3GXT SP000451482 BSC031N06NS3GATMA1
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:130 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:2.5 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:38 ns
Typical Turn-Off Delay Time:63 ns
Id - Continuous Drain Current:100 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:50 S
Rds On - Drain-Source Resistance:3.1 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:5000

Техническая документация