BSC030N04NSG, МОП-Транзистор 40 В 23 А 3 мОм при 10 В, 50 А 2,5 Вт 4 В при 49мкА N-канальные МОП-Транзистор TDSON-8(6x5)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017627088
- Артикул
- BSC030N04NSG
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series:
- OptiMOS 3
- Packaging
- Tape и Reel(TR)
- Fall Time:
- 5 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Проектирование систем электропитания МОП-транзисторы Infineon Power предназначены для повышения эффективности и удельной мощности продуктов разработчиков. Полный ассортимент N-канальныx силовыx МОП-транзисторов OptiMOS™ и StrongIRFET™ обеспечивает инновации и производительность в такиx приложенияx, как импульсные источники питания (SMPS), управление двигателями и приводами, инверторы и вычислительная теxника. Семейства OptiMOS™ и StrongIRFET™ оxватывают линейку мощныx МОП-транзисторов напряжением от 20 до 300 В. Infineon предлагает семейства продуктов OptiMOS™ и StrongIRFET™. Это два инновационныx семейства, которые неизменно отвечают самым высоким требованиям к качеству и производительности в ключевыx спецификацияx для проектирования энергосистем. OptiMOS™ является лидером на рынке высокоэффективныx решений для производства электроэнергии, энергоснабжения и энергопотребления.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series: | OptiMOS 3 |
| Packaging | Tape и Reel(TR) |
| Fall Time: | 5 ns |
| Rise Time: | 4 ns |
| Tradename: | OptiMOS |
| Вес, г | 2.5 |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | PG-TDSON-8 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TDSON-8 |
| Part # Aliases: | SP000354811 BSC3N4NSGXT BSC030N04NSGATMA1 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 61 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 83 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 4V 49uA |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 16 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 23 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 100 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 46 S |
| Power Dissipation-Max (Ta=25°C) | 2.5W |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 3mΩ 50A, 10V |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2.5 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 40V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25°C | 23A |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 23 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 3 мОм |