BSC028N06NS, Транзистор N-MOSFET 60В 125А 113Вт 0.0024Ом [DFN5X6-8L.]
![BSC028N06NS, Транзистор N-MOSFET 60В 125А 113Вт 0.0024Ом [DFN5X6-8L.]](https://static.epl-electro.ru/lib/656/DOC059656174.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9001729165
- Артикул
- BSC028N06NS
- Бренд
- EVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED
- Вес, г
- 0.2
- Структура
- MOSFET
- Особенности
- Advanced SGTII Technology
- Пороговое напряжение на затворе
- 1…2.5
Цена по запросу
(от 90,80 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 0.2 |
| Структура | MOSFET |
| Особенности | Advanced SGTII Technology |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 125 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 113 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0024Ом |