BSC028N06LS3GATMA1, Power MOSFET, N Channel, 60 V, 100 A, 0.0023 ohm, TDSON, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8975680782
- Артикул
- BSC028N06LS3GATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Width
- 6.1mm
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series
- OptiMOS 3
- Series:
- OptiMOS 3
Цена по запросу
(от 449 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Продукция OptiMOS™ выпускается в высокопроизводительныx комплектацияx для решения самыx сложныx задач, обеспечивая полную гибкость в условияx ограниченного пространства.
Технические параметры
| Width | 6.1mm |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 3 |
| Series: | OptiMOS 3 |
| Pin Count | 8 |
| Fall Time: | 19 ns |
| Rise Time: | 17 ns |
| Tradename: | OptiMOS |
| Вес, г | 0.15 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TDSON |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TDSON-8 |
| Part # Aliases: | BSC028N06LS3 G SP000453652 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 132 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 139 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 139 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 132 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 19 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 77 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 100 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.2V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.2V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 60 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 4.8 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 100 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2.8 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 100 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0023 Ом |