BSC028N06LS3 G, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 60В, 100А, 139Вт, PG-TDSON-8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017631850
- Артикул
- BSC028N06LS3 G
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Type
- 1PCSNChannel
- Brand
- Infineon Technologies
- Series
- OptiMOS 3
- Fall Time
- 19 ns
Цена по запросу
(от 180,46 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 23A 8-Pin TDSON EP лента на катушке
Технические параметры
| Type | 1PCSNChannel |
| Brand | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 3 |
| Fall Time | 19 ns |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Rise Time | 17 ns |
| Tradename | OptiMOS |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.1 |
| Subcategory | MOSFETs |
| Channel Mode | Enhancement |
| Manufacturer | Infineon |
| Product Type | MOSFET |
| Configuration | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | TDSON-8 |
| Part # Aliases | BSC028N06LS3GATMA1 BSC28N6LS3GXT SP000453652 |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 175 nC |
| Number Of Channels | 1 Channel |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 5000 |
| Pd - Power Dissipation | 139 W |
| Power Dissipation (Pd) | 2.5W |
| Особенности | - |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 19 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time | 77 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 23A |
| Id - Continuous Drain Current | 100 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Forward Transconductance - Min | 60 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 2.3 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V |
| Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.2 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.2V@93uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 100 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 139 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 2.8mΩ@10V, 50A |