OptiMOS™ N-Channel MOSFET Transistor, 194 A, 100 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 BSC027N10NS5ATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8034102256
- Артикул
- BSC027N10NS5ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- OptiMOS™
- FET Type
- N-Channel
- Pin Count
- 8
- Vgs (Max)
- ±20V
Цена по запросу
(от 1 048,12 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET серии Infineon BSC02, оптимизированный для высокопроизводительныx SMPS-транзисторов, рассчитан на температуру 175°C, 100 % протестирован на лавиноопасность, а также обладает превосxодной термостойкостью.
Технические параметры
| Series | OptiMOS™ |
| FET Type | N-Channel |
| Pin Count | 8 |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 1 |
| Channel Type | N |
| Package Type | SuperSO8 5x6 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 146µA |
| Структура | N-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7mOhm @ 50A, 10V |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 3W(Ta), 214W(Tc) |
| Supplier Device Package | PG-TSON-8-3 |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 111 nC @ 10 V |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Maximum Continuous Drain Current | 194 A |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8200 pF @ 50 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 23A(Ta), 100A(Tc) |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 194 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |