BSC027N06LS5ATMA1, TDSON-8(5.2x5.9) MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025171255
- Артикул
- BSC027N06LS5ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Type
- Power MOSFET
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series
- OptiMOS™
- Series:
- BSC027N
Цена по запросу
(от 265,71 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Зарядные устройства и адаптеры USB-C Infineon Technologies предлагает полупроводниковые приборы, изготовленные по индивидуальному заказу с учетом приоритетов клиентов - цена/производительность в сочетании со сверxвысокой плотностью энергопотребления. Ассортимент включает в себя всю линейку продуктов с интерфейсом USB-C, начиная от высоковольтныx выключателей питания и заканчивая ШИМ-контроллерами, контроллерами USB-C для подачи питания, а также устройствами защиты от электростатического разряда.
Технические параметры
| Type | Power MOSFET |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS™ |
| Series: | BSC027N |
| Mounting | Surface Mount |
| Polarity | N |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 8 |
| Fall Time: | 5.4 ns |
| Rise Time: | 4.8 ns |
| Tradename: | OptiMOS 5 |
| Вес, г | 0.57 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TDSON EP |
| Rad Hardened | No |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | TDSON-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | BSC027N06LS5 SP001385616 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power Dissipation | 2.5(W) |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 30 nC |
| Number of Elements | 1 |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Drain-Source On-Volt | 60(V) |
| Operating Temp Range | -55C to 150C |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 83 W |
| Continuous Drain Current | 23(A) |
| Gate-Source Voltage (Max) | 20(V) |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 7.7 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 25 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 100 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 60 S |
| Maximum Continuous Drain Current | 134 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2.3 mOhms |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.6V@250uA |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 83 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |