OptiMOS™ N-Channel MOSFET, 184 A, 80 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 BSC026N08NS5ATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017245097
- Артикул
- BSC026N08NS5ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- RoHS
- Details
- Brand
- Infineon Technologies
- Width
- 5.15 mm
- Height
- 1.27 mm
Цена по запросу
(от 737,69 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовой транзистор Infineon OptiMOS 5 - это N-канальный МОП-транзистор, оптимизированный для синxронного выпрямления в серверныx и настольныx системаx.
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | Infineon Technologies |
| Width | 5.15 mm |
| Height | 1.27 mm |
| Length | 5.9 mm |
| Series | OptiMOS™ |
| FET Type | N-Channel |
| Fall Time | 16 ns |
| Packaging | Reel |
| Pin Count | 8 |
| Rise Time | 14 ns |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.15 |
| Unit Weight | 0.01787 oz |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | Infineon |
| Package Type | SuperSO8 5x6 |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | TDSON-8 |
| Part # Aliases | BSC026N08NS5 SP001154276 |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 74 nC |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 115µA |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 5000 |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Pd - Power Dissipation | 156 W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6mOhm @ 50A, 10V |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W(Ta), 156W(Tc) |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-6 |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 18 ns |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 47 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 92 nC @ 10 V |
| Maximum Drain Source Voltage | 80 V |
| Id - Continuous Drain Current | 100 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Forward Transconductance - Min | 60 S |
| Maximum Continuous Drain Current | 184 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 3.9 mOhms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6800 pF @ 40 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.2 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 23A(Ta), 100A(Tc) |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 80 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 184 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 156 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |