BSC025N08LS5ATMA1, Транзистор MOSFET PGTDSON8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070227589
- Артикул
- BSC025N08LS5ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Pin Count
- 8
- Fall Time:
- 18.6 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
Цена по запросу
(от 358 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовой транзистор Infineon OptiMOS 5 на 100 В представляет собой N-канальный МОП-транзистор логического уровня, оптимизированный для высокопроизводительныx SMP-транзисторов.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Pin Count | 8 |
| Fall Time: | 18.6 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 10.3 ns |
| Вес, г | 0.58 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N |
| Package Type | TDSON |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TDSON-8 |
| Part # Aliases: | BSC025N08LS5 SP001385618 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 80 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 156 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 10.4 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 80 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 51 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 100 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 70 S |
| Maximum Continuous Drain Current | 187 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 3.3 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 80 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 5000 |