BSC025N03MSGATMA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 30В, 23А, 83Вт, PG-TDSON-8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070152239
- Артикул
- BSC025N03MSGATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Military
- No
- Packaging
- Tape and Reel
- Pin Count
- 8
- Automotive
- No
Цена по запросу
(от 135,29 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET, N-КАНАЛЬНЫЙ, 30 В, 100 А, PG-TSDSON, Полярность транзистора: N-канальный, Постоянный ток стока Id:100 А, Напряжение источника стока Vds: 30 В, Сопротивление Rds(включено): 2,1 Мом, Тестовое напряжение Rds (включено) Vgs: 10 В, Пороговое напряжение Vgs:1 В, RoHS Соответствует требованиям: Да
Технические параметры
| Military | No |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 8 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 0.23 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Supplier Package | TDSON EP |
| Process Technology | OptiMOS |
| Standard Package Name | SON |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 2500 |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 74 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 36@4.5VI74@10V |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 30 |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 100 |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 5700@15V |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 2.5@10V |