Моя заявка (0)

BSC025N03MSGATMA1, Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R

BSC025N03MSGATMA1, Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001292938
Артикул
BSC025N03MSGATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Military
No
Packaging
Tape and Reel
Pin Count
8
Automotive
No
Цена по запросу
(от 150 ₽)
Минимальный заказ: 583 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

MOSFET, N-КАНАЛЬНЫЙ, 30 В, 100 А, PG-TSDSON, Полярность транзистора: N-канальный, Постоянный ток стока Id:100 А, Напряжение источника стока Vds: 30 В, Сопротивление Rds(включено): 2,1 Мом, Тестовое напряжение Rds (включено) Vgs: 10 В, Пороговое напряжение Vgs:1 В, RoHS Соответствует требованиям: Да

Технические параметры

MilitaryNo
PackagingTape and Reel
Pin Count8
AutomotiveNo
Вес, г1
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Supplier PackageTDSON EP
Process TechnologyOptiMOS
СтруктураN-Channel
Standard Package NameSON
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Operating Temperature - (??C)-55~150
Maximum Power Dissipation - (mW)2500
Typical Gate Charge @ 10V - (nC)74
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC)36@4.5VI74@10V
Maximum Gate Source Voltage - (V)??20
Maximum Drain Source Voltage - (V)30
Maximum Continuous Drain Current - (A)100
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF)5700@15V
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)2.5@10V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А23
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±16В

Техническая документация