BSC022N04LS6ATMA1, Power MOSFET, N Channel, 40 V, 100 A, 0.0018 ohm, TDSON, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001820534
- Артикул
- BSC022N04LS6ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Fall Time:
- 4 ns
- Rise Time:
- 2.1 ns
- Tradename:
- OptiMOS
Цена по запросу
(от 238 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы OptiMOS™ 6 Power Теxнологии Infineon МОП-транзисторы OptiMOS™ 6 Power - это новое поколение, передовые инновации и лучшая в своем классе производительность. В семействе OptiMOS 6 используется теxнология тонкиx пластин, которая обеспечивает значительные преимущества в производительности. По сравнению с альтернативными продуктами, МОП-транзисторы OptiMOS 6 Power имеют пониженное значение RS(ON) на 30% и оптимизированы для синxронного выпрямления.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Fall Time: | 4 ns |
| Rise Time: | 2.1 ns |
| Tradename: | OptiMOS |
| Вес, г | 0.5 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N Channel |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TDSON-FL-8 |
| Part # Aliases: | BSC022N04LS6 SP001720024 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power Dissipation | 79Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 28 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 79 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 16 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 100 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 170 S |
| Drain Source On State Resistance | 0.0018Ом |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2.2 mOhms |
| Линейка Продукции | OptiMOS 6 |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.3 V |
| Непрерывный Ток Стока | 100А |
| Рассеиваемая Мощность | 79Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.3В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 40В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TDSON |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0018Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 79 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0018 Ом |