BSC020N03LSGATMA1, Power MOSFET, N Channel, 30 V, 100 A, 0.0017 ohm, PG-TDSON, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8669084476
- Артикул
- BSC020N03LSGATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- PPAP
- No
- EU RoHS
- Compliant with Exemption
- Mounting
- Surface Mount
- ECCN (US)
- EAR99
Цена по запросу
(от 211 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор MOSFET N-CH 30V 28A 8-контактный TDSON EP T/R
Технические параметры
| PPAP | No |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 8 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | No Lead |
| Вес, г | 0.56 |
| PCB changed | 8 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single Quad Drain Triple Source |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | TDSON EP |
| Process Technology | OptiMOS |
| Структура | N-Channel |
| Standard Package Name | SON |
| Typical Fall Time (ns) | 7 |
| Typical Rise Time (ns) | 7 |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2500 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 70 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 70 10V|34 4.5V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 11 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 30 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 42 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 2.2 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 28 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 5400 15V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 2 10V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 100 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±16В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0017 Ом |