BSC019N06NSATMA1, MOSFETs IFX FET 60V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004723039
- Артикул
- BSC019N06NSATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Pin Count
- 8
- Fall Time:
- 8 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
Цена по запросу
(от 176,58 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Зарядные устройства и адаптеры USB-C Infineon Technologies предлагает полупроводниковые приборы, изготовленные по индивидуальному заказу с учетом приоритетов клиентов - цена/производительность в сочетании со сверxвысокой плотностью энергопотребления. Ассортимент включает в себя всю линейку продуктов с интерфейсом USB-C, начиная от высоковольтныx выключателей питания и заканчивая ШИМ-контроллерами, контроллерами USB-C для подачи питания, а также устройствами защиты от электростатического разряда.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Pin Count | 8 |
| Fall Time: | 8 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 7 ns |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N Channel |
| Package Type | TDSON-8 FL |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Вес, кг | 63.8 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | TDSON-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | BSC019N06NS SP001407774 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power Dissipation | 136Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 77 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 136 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 12 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 26 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 100 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 120 S |
| Drain Source On State Resistance | 0.0017Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 192 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.95 mOhms |
| Линейка Продукции | OptiMOS |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.1 V |
| Непрерывный Ток Стока | 100А |
| Рассеиваемая Мощность | 136Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.8В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TDSON |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0017Ом |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 136 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |