BSC019N04NS G, 40V 100A 1.9mOhm@10V,50A 125W 4V@85uA N Channel TDSON-8(6x5) MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017631847
- Артикул
- BSC019N04NS G
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Fall Time:
- 6.6 ns
- Rise Time:
- 5.6 ns
- Вес, г
- 0.11
Цена по запросу
(от 107,48 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
40 В 100 А 1.9mOhm@10V,50 125 Вт, 4 В при 85uA, 1 шт. канальные МОП-транзисторы TDSON-8-EP (5x6), соответствующие требованиям ROHS
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Fall Time: | 6.6 ns |
| Rise Time: | 5.6 ns |
| Вес, г | 0.11 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Package/Case: | TDSON-8 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | SP000388299 BSC19N4NSGXT BSC019N04NSGATMA1 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 108 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 2.5 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 22 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 33 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 29 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 60 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.9 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 100 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 125 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.9мОм |