Моя заявка (0)

OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 161 A, 40 V N, 8-Pin TDSON BSC019N04LSATMA1

OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 161 A, 40 V N, 8-Pin TDSON BSC019N04LSATMA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8030973502
Артикул
BSC019N04LSATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Series:
OptiMOS 5
Fall Time:
4 ns
Rise Time:
4 ns
Цена по запросу
(от 500 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Infineon OptiMOS 40V - это идеальный выбор для синxронного выпрямления в импульсныx источникаx питания, такиx как серверы и настольные компьютеры.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Series:OptiMOS 5
Fall Time:4 ns
Rise Time:4 ns
Tradename:OptiMOS
Вес, г1
Technology:Si
Channel TypeN
Package TypePG-TDSON-8
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Mounting TypeSMD
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TDSON-8
Part # Aliases:BSC019N04LS SP001067012
Transistor Type:1 N-Channel
Power Dissipation78Вт
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:57 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:78 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:6 ns
Maximum Drain Source Voltage40 V
Typical Turn-Off Delay Time:26 ns
Id - Continuous Drain Current:100 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:95 S
Drain Source On State Resistance0.0015Ом
Maximum Continuous Drain Current155 A
Rds On - Drain-Source Resistance:1.5 mOhms
Линейка ПродукцииOptiMOS
Количество Выводов8вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:40 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.2 V
Непрерывный Ток Стока100А
Рассеиваемая Мощность78Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs2В
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:5000
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds40В
Стиль Корпуса ТранзистораTDSON
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.0015Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А155
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт78
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0015 Ом

Техническая документация