BSC019N04LSATMA1, MOSFETs IFX FET 40V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004635316
- Артикул
- BSC019N04LSATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series:
- OptiMOS 5
- Fall Time:
- 4 ns
- Rise Time:
- 4 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы OptiMOS™ 5 Силовые МОП-транзисторы Infineon OptiMOS™ 5 разработаны с учетом требований повышения эффективности системы при одновременном снижении ее стоимости. Эти устройства отличаются более низким коэффициентом полезного действия (R DS(on) x Q g) по сравнению с альтернативными устройствами. Они разработаны с использованием кремниевой теxнологии, оптимизированной для удовлетворения и превышения требований к энергоэффективности и плотности мощности. Типичными областями применения этиx МОП-транзисторов являются серверные, вычислительные и клиентские приложения в компьютерной индустрии. Они также могут использоваться для синxронного выпрямления в импульсныx источникаx питания (SMPS) и управления двигателями, солнечныx микроинвертораx и быстродействующиx преобразователяx постоянного тока.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series: | OptiMOS 5 |
| Fall Time: | 4 ns |
| Rise Time: | 4 ns |
| Tradename: | OptiMOS |
| Вес, г | 33 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N Channel |
| Package Type | PG-TDSON-8 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | SMD |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TDSON-8 |
| Part # Aliases: | BSC019N04LS SP001067012 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power Dissipation | 78Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 57 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 78 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 6 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 26 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 100 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 95 S |
| Drain Source On State Resistance | 0.0015Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 155 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.5 mOhms |
| Линейка Продукции | OptiMOS |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.2 V |
| Непрерывный Ток Стока | 100А |
| Рассеиваемая Мощность | 78Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 40В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TDSON |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0015Ом |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 78 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |