BSC019N04LS, 40V 100A 2.7mOhm@4.5V,50A 2.5W N Channel TDSON-8(6x5) MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025032272
- Артикул
- BSC019N04LS
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Military
- No
- Packaging
- Tape and Reel
- Pin Count
- 8
Цена по запросу
(от 80,84 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET, N-канальный, 40 В, 100 А, TDSON-8; Полярность транзистора: N-канальный; Постоянный ток стока Id: 100 А; Напряжение источника стока Vds: 40 В; Сопротивление включения Rds(on): 0,0015 Ом; Испытательное напряжение Rds(on) Vgs:10 В; Пороговое напряжение Vgs: 2 В; По
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Military | No |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 8 |
| Automotive | No |
| Fall Time: | 4 ns |
| Rise Time: | 4 ns |
| Вес, г | 0.11 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | Single Quad Drain Triple Source |
| Manufacturer: | Infineon |
| Package/Case: | TDSON-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | SP001067012 BSC019N04LSATMA1 |
| Supplier Package | TDSON |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 57 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Power Dissipation (Pd) | 2.5W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 78 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 6 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 26 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 100A |
| Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
| Id - Continuous Drain Current: | 100 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 95 S |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 2500 |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 41 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 41@10VI21@4.5V |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.5 mOhms |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 40 |
| Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | 2 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 27 |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 2900@20V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.2 V |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 1.9@10V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 100 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 2.7mΩ@4.5V, 50A |