Моя заявка (0)

BSC018N04LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 40В, 100А, 125Вт, PG-TOSON-8

BSC018N04LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 40В, 100А, 125Вт, PG-TOSON-8

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070070489
Артикул
BSC018N04LSGATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Military
No
Packaging
Tape and Reel
Pin Count
8
Automotive
No
Цена по запросу
(от 136,76 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор полевой BSC018N04LSGATMA1 производства INFINEON – это высокомощный N-MOSFET компонент, предназначенный для современных электронных схем. Осуществляется монтаж данного транзистора методом SMD, что делает его идеальным выбором для плат с поверхностным монтажом. Устройство способно управлять током стока до 100 А и выдерживает напряжение сток-исток в 40 В, что позволяет использовать его в мощных применениях. Мощность транзистора составляет 125 Вт, а очень низкое сопротивление в открытом состоянии, всего 0,0018 Ом, обеспечивает высокую эффективность и минимизацию потерь энергии. Для гарантии надежности и долговечности компонента, он заключен в устойчивый к термическим нагрузкам корпус PG-TDSON-8. Транзистор BSC018N04LSGATMA1 является отличным выбором для разработчиков, стремящихся к оптимизации своих проектов с точки зрения мощности и эффективности. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 100 Напряжение сток-исток, В 40 Мощность, Вт 125 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.0018 Корпус PG-TDSON-8

Технические параметры

MilitaryNo
PackagingTape and Reel
Pin Count8
AutomotiveNo
Вес, г0.15
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ConfigurationSingle Quad Drain Triple Source
Supplier PackageTDSON EP
Standard Package NameSON
Number of Elements per Chip1
Operating Temperature - (??C)-55~150
Maximum Power Dissipation - (mW)2500
Typical Gate Charge @ 10V - (nC)113
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC)54@4.5VI113@10V
Maximum Gate Source Voltage - (V)??20
Maximum Drain Source Voltage - (V)40
Maximum Continuous Drain Current - (A)30
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF)8900@20V
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)1.8@10V

Техническая документация