OptiMOS™ N-Channel MOSFET, 147 A, 25 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 BSC015NE2LS5IATMA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014771723
- Артикул
- BSC015NE2LS5IATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Type
- Power MOSFET
- Gender
- HDR
- Series
- OptiMOS
- Mounting
- Surface Mount
Цена по запросу
(от 271,63 ₽)
Минимальный заказ: 15 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Линейка продуктов Infineon OptiMOS выпускается в высокопроизводительныx комплектацияx для решения самыx сложныx задач, обеспечивая полную гибкость в условияx ограниченного пространства.
Технические параметры
| Type | Power MOSFET |
| Gender | HDR |
| Series | OptiMOS |
| Mounting | Surface Mount |
| Polarity | N |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 8 |
| Pitch (mm) | 1.27(mm) |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SuperSO8 5x6 |
| Rad Hardened | No |
| Housing Color | Black |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Mounting Style | Surface Mount |
| Contact Plating | Gold Over Nickel |
| Body Orientation | Straight |
| Contact Material | Phosphor Bronze |
| Power Dissipation | 2.5(W) |
| Number of Contacts | 3(POS) |
| Number of Elements | 1 |
| Termination Method | Solder |
| Voltage Rating Max | 250VAC |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Current Rating (Max) | 3.2/Contact(A) |
| Drain-Source On-Volt | 25(V) |
| Operating Temp Range | -55C to 150C |
| Особенности | - |
| Continuous Drain Current | 33(A) |
| Gate-Source Voltage (Max) | 16(V) |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 25 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0015 O |
| Drain Source On State Resistance | 0.0013Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 147 A |
| Линейка Продукции | OptiMOS 5 |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Непрерывный Ток Стока | 100А |
| Рассеиваемая Мощность | 50Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 25В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TDSON |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 25 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0013Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 147 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 50 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±16В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0013 Ом |