Моя заявка (0)

BSC014NE2LSIATMA1, Транзистор N-МОП, полевой, 25В, 100А, 74Вт, PG-TDSON-8

BSC014NE2LSIATMA1, Транзистор N-МОП, полевой, 25В, 100А, 74Вт, PG-TDSON-8

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070050204
Артикул
BSC014NE2LSIATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Вес, г
0.2
Длина
5.9 mm
Channel Type
N
Package Type
PG-TDSON-8-7
Цена по запросу
(от 134,83 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS

Технические параметры

Вес, г0.2
Длина5.9 mm
Channel TypeN
Package TypePG-TDSON-8-7
Высота1.27 mm
Ширина5.15 mm
Mounting TypeSurface Mount
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада3.6 ns
Тип продуктаMOSFET
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаInfineon Technologies
Упаковка / блокTDSON-8
Maximum Drain Source Voltage25 V
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора52 nC
Время нарастания5 ns
Maximum Continuous Drain Current100 A
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности74 W
Другие названия товара №BSC014NE2LSI BSC14NE2LSIXT SP000911336
Id - непрерывный ток утечки100 A
Коммерческое обозначениеOptiMOS
Размер фабричной упаковки5000
Vgs - напряжение затвор-исток20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток1.2 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток25 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения25 ns
Типичное время задержки при включении5 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.2 V
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.70 S

Техническая документация