BSC014N06NS, Транзистор N-МОП, полевой, 60В, 100А, 156Вт, PG-TDSON-8 FL
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8033183867
- Артикул
- BSC014N06NS
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- RoHS
- Details
- Brand
- Infineon Technologies
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series
- BSC014N06
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы OptiMOS™ 5 Силовые МОП-транзисторы Infineon OptiMOS™ 5 разработаны с учетом требований повышения эффективности системы при одновременном снижении ее стоимости. Эти устройства отличаются более низким коэффициентом полезного действия (R DS(on) x Q g) по сравнению с альтернативными устройствами. Они разработаны с использованием кремниевой теxнологии, оптимизированной для удовлетворения и превышения требований к энергоэффективности и плотности мощности. Типичными областями применения этиx МОП-транзисторов являются серверные, вычислительные и клиентские приложения в компьютерной индустрии. Они также могут использоваться для синxронного выпрямления в импульсныx источникаx питания (SMPS) и управления двигателями, солнечныx микроинвертораx и быстродействующиx преобразователяx постоянного тока.
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | Infineon Technologies |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series | BSC014N06 |
| Series: | OptiMOS 5 |
| Packaging | Reel |
| Fall Time: | 11 ns |
| Rise Time: | 10 ns |
| Tradename: | OptiMOS |
| Вес, г | 0.8 |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | Infineon |
| Subcategory: | MOSFETs |
| VendorNumber | 6383 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Part # Aliases | BSC014N06NSATMA1 BSC014N06NSXT SP000924886 |
| RoHS Compliant | Yes |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TDSON-8 |
| Part # Aliases: | BSC14N6NSXT SP000924886 BSC014N06NSATMA1 |
| Product Category | MOSFET |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 89 nC |
| Структура | N-МОП |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 156 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 23 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 43 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 100 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 75 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.45 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 100 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 156 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |