OptiMOS™ N-Channel MOSFET, 195 A, 40 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 BSC014N04LSIATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017552755
- Артикул
- BSC014N04LSIATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Q(g)
- 55 nC
- V(DS)
- 40 V
- P(tot)
- 96 W
- Series
- OptiMOS
Цена по запросу
(от 463,98 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Этот мощный МОП-транзистор Infineon OptiMOS оптимизирован для синxронного выпрямления и обладает более высокой надежностью паяного соединения благодаря расширенному соединению источников.
Технические параметры
| Q(g) | 55 nC |
| V(DS) | 40 V |
| P(tot) | 96 W |
| Series | OptiMOS |
| Package | TDSON-8 |
| R(thJC) | 0.8 K/W |
| Mounting | SMD |
| Packaging | REEL |
| Pin Count | 8 |
| Automotive | NO |
| Technology | OptiMOS |
| Вес, г | 1 |
| Logic level | YES |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Channel Type | N |
| Package Type | SuperSO8 5x6 |
| Configuration | N-CH |
| Mounting Type | Surface Mount |
| RDS(on)at 10V | 1.1 mOhm |
| Fast bodydiode | NO |
| I(D)at Tc=25°C | 100 A |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.002 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 195 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 195 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0012 Ом |