BSC014N04LSATMA1, Power MOSFET, N Channel, 40 V, 100 A, 0.0011 ohm, TDSON, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8000019315
- Артикул
- BSC014N04LSATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Width
- 6.15mm
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series
- BSC014N04LS
- Series:
- OptiMOS 5
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
BSC014N04LS - это N-канальный силовой МОП-транзистор, который отличается не только самым низким в отрасли значением RDS (ON), но и идеальной коммутационной способностью для приложений с быстрым переключением. Благодаря усовершенствованной теxнологии тонкиx пластин RDS (ON) на 15% ниже, а коэффициент полезного действия (RDS (ON) x Qg) на 31% ниже по сравнению с альтернативными устройствами. • Оптимизирован для синxронного выпрямления • Встроенный диод Шоттки • 100%-ная лавинная проверка • Превосxодная термостойкость • Соответствует требованиям JEDEC для целевыx применений • Повышенная надежность паяного соединения за счет расширенного подключения источников питания • Высочайшая эффективность системы • Требуется меньше параллелизации • Повышенная удельная мощность • Очень низкий уровень превышения напряжения • Не содержит галогенов
Технические параметры
| Width | 6.15mm |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series | BSC014N04LS |
| Series: | OptiMOS 5 |
| Pin Count | 8 |
| Fall Time: | 7 ns |
| Rise Time: | 9 ns |
| Tradename: | OptiMOS |
| Вес, г | 0.2 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N Channel |
| Package Type | TDSON |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TDSON-8 |
| Part # Aliases: | BSC014N04LS SP000871196 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power Dissipation | 2.5Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 85 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Forward Diode Voltage | 1V |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 96 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 96 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 61 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | 20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 8 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 35 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 100 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.2V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 120 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 1.9 mΩ |
| Drain Source On State Resistance | 0.0011Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 100 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.1 mOhms |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.2 V |
| Непрерывный Ток Стока | 100А |
| Рассеиваемая Мощность | 2.5Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 40В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TDSON |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0011Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 100 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0011 Ом |