Моя заявка (0)

BSC014N03MSGATMA1, Trans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin TDSON EP T/R

BSC014N03MSGATMA1, Trans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin TDSON EP T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001293973
Артикул
BSC014N03MSGATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
PPAP
No
SVHC
Yes
Mounting
Surface Mount
Packaging
Tape and Reel
Цена по запросу
(от 196 ₽)
Минимальный заказ: 388 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзисторный MOSFET N-CH 30V 30A 8-контактный TDSON EP T/R

Технические параметры

PPAPNo
SVHCYes
MountingSurface Mount
PackagingTape and Reel
Pin Count8
AutomotiveNo
Lead ShapeNo Lead
Вес, г1
PCB changed8
Part StatusObsolete
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ConfigurationSingle Quad Drain Triple Source
Package Width5.9
Package Length5.15
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageTDSON EP
Process TechnologyOptiMOS 3
СтруктураN-Channel
Standard Package NameSON
SVHC Exceeds ThresholdYes
Typical Fall Time (ns)16
Typical Rise Time (ns)16
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)2500
Typical Gate Charge @ 10V (nC)130
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)63@4.5V|130@10V
Maximum Gate-Source Voltage (V)±20
Typical Turn-On Delay Time (ns)32
Maximum Drain-Source Voltage (V)30
Typical Turn-Off Delay Time (ns)43
Maximum Gate Threshold Voltage (V)2
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)30
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)10000@15V
Maximum Drain-Source Resistance (mOhm)1.4@10V
Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C (A)400
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А30
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±16В

Техническая документация