BSC011N03LS, 30V 37A 1.1mOhm@10V,30A 2.5W 2.2V@250uA N Channel TDSON-8(6x5) MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017599063
- Артикул
- BSC011N03LS
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Type
- 1PCSNChannel
- Brand:
- Infineon Technologies
- Fall Time:
- 6.2 ns
- Rise Time:
- 8.8 ns
Цена по запросу
(от 123,73 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
30 В 37 А 1.1mOhm@10V,302,5 Вт 2.2V@250uA 1шт Канальные МОП-транзисторы TDSON-8-EP(5x6), соответствующие требованиям ROHS
Технические параметры
| Type | 1PCSNChannel |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Fall Time: | 6.2 ns |
| Rise Time: | 8.8 ns |
| Вес, г | 0.1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Package/Case: | TDSON-8 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | SP000799082 BSC11N3LSXT BSC011N03LSATMA1 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 72 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃@(Tj) |
| Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Power Dissipation (Pd) | 3W;115W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 96 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 48nC@4.5V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 6.7 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 6.3nF@15V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 37 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 39A;100A |
| Id - Continuous Drain Current: | 230 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 85 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.1 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 37 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±16В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.1mΩ@30A, 10V |