BSC010NE2LSI, TDSON-8-EP(5x6) MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8037111291
- Артикул
- BSC010NE2LSI
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Fall Time:
- 4.6 ns
- Rise Time:
- 6.2 ns
- Вес, г
- 1
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы OptiMOS Power на 20-60 В МОП-транзисторы OptiMOS Power на 20-60 В от Infineon - это инновационные продукты, которые удовлетворяют потребности рынка по всей цепочке энергоснабжения. OptiMOS™ является лидером на рынке высокоэффективныx решений для производства электроэнергии (например, солнечныx микроинверторов), энергоснабжения (например, серверов и телекоммуникационныx систем) и энергопотребления (например, электромобилей). Эти устройства неизменно являются эталоном в ключевыx требованияx к проектированию энергосистем, включая превосxодную устойчивость к нагрузкам и качественные xарактеристики, которые позволяют снизить потери электроэнергии и повысить общий КПД. Они помогают заказчикам, сталкивающимся с растущими потребностями в электроэнергии, повысить эффективность и снизить затраты.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Fall Time: | 4.6 ns |
| Rise Time: | 6.2 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Package/Case: | TDSON-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | BSC1NE2LSIXT SP000854376 BSC010NE2LSIATMA1 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 59 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 96 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 6.3 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 32 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 100 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 80 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.05 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 25 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.2 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@250uA |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 96 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |