BSC010N04LSATMA1,Power MOSFET, N Channel, 40 V, 100 A, 850 µohm, TDSON, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8312920935
- Артикул
- BSC010N04LSATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series:
- OptiMOS 5
- Fall Time:
- 9 ns
- Rise Time:
- 12 ns
Цена по запросу
(от 264 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Infineon предлагает большой и всесторонний ассортимент устройств на МОП-транзистораx, который включает семейства CoolMOS, OptiMOS и StrongIRFET.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series: | OptiMOS 5 |
| Fall Time: | 9 ns |
| Rise Time: | 12 ns |
| Tradename: | OptiMOS |
| Вес, г | 0.5 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Package/Case: | TDSON-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | BSC010N04LS SP000928282 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 133 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 2.5W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 139 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 2V @ 250uA |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 46 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 38A |
| Id - Continuous Drain Current: | 100 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 140 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 1mО© @ 50A,10V |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1 mOhms |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 2.5W |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 40V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 38A |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 100 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 139 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |