BSC010N04LS6ATMA1, Транзистор N-MOSFET, OptiMOS™ 6, полевой, 40В, 100А, 150Вт
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070055876
- Артикул
- BSC010N04LS6ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Вес, г
- 2
- Channel Type
- N Channel
- Power Dissipation
- 150Вт
- Power Dissipation (Pd)
- 3W;150W
Цена по запросу
(от 142,61 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 2 |
| Channel Type | N Channel |
| Power Dissipation | 150Вт |
| Power Dissipation (Pd) | 3W;150W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 67nC@4.5V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 4.6nF@20V |
| Continuous Drain Current (Id) | 40A;100A |
| Drain Source On State Resistance | 890мкОм |
| Линейка Продукции | OptiMOS 6 |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 100А |
| Рассеиваемая Мощность | 150Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.3В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 40В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TDSON |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 890мкОм |