Моя заявка (0)

BSC010N04LS6ATMA1, Транзистор N-MOSFET, OptiMOS™ 6, полевой, 40В, 100А, 150Вт

BSC010N04LS6ATMA1, Транзистор N-MOSFET, OptiMOS™ 6, полевой, 40В, 100А, 150Вт

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8038437514
Артикул
BSC010N04LS6ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Вес, г
0.5
Channel Type
N Channel
Power Dissipation
150Вт
Структура
MOSFET
Цена по запросу
(от 139,39 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.5
Channel TypeN Channel
Power Dissipation150Вт
СтруктураMOSFET
Power Dissipation (Pd)3W;150W
Особенности-
Total Gate Charge (Qg@Vgs)67nC@4.5V
Input Capacitance (Ciss@Vds)4.6nF@20V
Continuous Drain Current (Id)40A;100A
Drain Source On State Resistance890мкОм
Линейка ПродукцииOptiMOS 6
Количество Выводов8вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока100А
Рассеиваемая Мощность150Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs2.3В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds40В
Стиль Корпуса ТранзистораTDSON
Пороговое напряжение на затворе2.3V@250uA
Максимальная Рабочая Температура175°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)890мкОм
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А6
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт150
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)1mΩ@50A, 10V

Техническая документация