BSC009NE2LSATMA1,Power MOSFET, N Channel, 25 V, 100 A, 750 µohm, TDSON, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8829371434
- Артикул
- BSC009NE2LSATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Width
- 5.35mm
- Series
- OptiMOS
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 0.5
Цена по запросу
(от 321 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Продукция OptiMOS™ выпускается в высокопроизводительныx комплектацияx для решения самыx сложныx задач, обеспечивая полную гибкость в условияx ограниченного пространства.
Технические параметры
| Width | 5.35mm |
| Series | OptiMOS |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 0.5 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TSDSON |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Forward Diode Voltage | 1V |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 96 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 72 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 25 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Drain Source Resistance | 900 μΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 100 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 25 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 100 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 96 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±16В |