BSC009NE2LS5IATMA1, Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002222611
- Артикул
- BSC009NE2LS5IATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand
- Infineon
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series
- OptiMOS™ 5
- Pin Count
- 8
Цена по запросу
(от 264 ₽)
Минимальный заказ: 110 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Зарядные устройства и адаптеры USB-C Infineon Technologies предлагает полупроводниковые приборы, изготовленные по индивидуальному заказу с учетом приоритетов клиентов - цена/производительность в сочетании со сверxвысокой плотностью энергопотребления. Ассортимент включает в себя всю линейку продуктов с интерфейсом USB-C, начиная от высоковольтныx выключателей питания и заканчивая ШИМ-контроллерами, контроллерами USB-C для подачи питания, а также устройствами защиты от электростатического разряда.
Технические параметры
| Brand | Infineon |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS™ 5 |
| Pin Count | 8 |
| Fall Time: | 4 ns |
| Rise Time: | 5 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Package Type | SuperSO8 5x6 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | TDSON-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | BSC009NE2LS5I SP001212434 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 36 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Forward Diode Voltage | 0.62V |
| Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 74 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 74 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 36 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -16 V, +16 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 25 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 27 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 100 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.2V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 75 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 1.35 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 100 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 950 uOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 25 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.2 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 25 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 40 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±16В |