BSC009NE2LS5ATMA1, MOSFETs LV POWER MOS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8007102623
- Артикул
- BSC009NE2LS5ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Q(g)
- 20 nC
- V(DS)
- 25 V
- Width
- 6.35mm
- P(tot)
- 74 W
Цена по запросу
(от 175,69 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Infineon предлагает большой и всесторонний ассортимент устройств на МОП-транзистораx, который включает семейства CoolMOS, OptiMOS и StrongIRFET.
Технические параметры
| Q(g) | 20 nC |
| V(DS) | 25 V |
| Width | 6.35mm |
| P(tot) | 74 W |
| Series | OptiMOS 5 |
| Package | SuperSO-8 |
| R(thJC) | 1.7 K/W |
| Mounting | SMD |
| Packaging | REEL |
| Pin Count | 8 |
| Automotive | NO |
| Technology | OptiMOS 5 |
| Вес, г | 1 |
| Logic level | NO |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SuperSO8 5x6 |
| Configuration | N-CH |
| Mounting Type | Surface Mount |
| RDS(on)at 10V | 0.75 mOhm |
| Fast bodydiode | NO |
| I(D)at Tc=25°C | 223 A |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Material | Si |
| Forward Diode Voltage | 1V |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 74 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 43 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | +16 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 25 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 1.25 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 100 A |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |