Моя заявка (0)

BSB044N08NN3GXUMA1, Trans MOSFET N-CH Si 80V 18A 5-Pin WDSON T/R

BSB044N08NN3GXUMA1, Trans MOSFET N-CH Si 80V 18A 5-Pin WDSON T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001292622
Артикул
BSB044N08NN3GXUMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
FET Type
N-Channel
Vgs (Max)
±20V
Technology
MOSFET(Metal Oxide)
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 480 ₽)
Минимальный заказ: 63 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный 80 В, 18 А (Ta), 90 А (Tc), 2,2 Вт (Ta), 78 Вт (Tc) для поверxностного монтажа MG-WDSON-2, CanPAK M™

Технические параметры

FET TypeN-Channel
Vgs (Max)±20V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г1
Mounting TypeSurface Mount
Package / Case3-WDSON
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 97µA
СтруктураN-Channel
Operating Temperature-40°C ~ 150°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.4mOhm @ 30A, 10V
Особенности-
Power Dissipation (Max)2.2W(Ta), 78W(Tc)
Supplier Device PackageMG-WDSON-2, CanPAK M™
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs73 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5700 pF @ 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C18A(Ta), 90A(Tc)
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В80
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А18
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт78
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В