BS870 Type N-Channel MOSFET, 250 mA, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BS870-7-F
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8069618891
- Артикул
- BS870-7-F
- Бренд
- DIODES INC.
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.21.0095
- Width
- 1.4mm
- Тип
- Enhancement Mode Field Effect Transistor
Цена по запросу
(от 12 ₽)
Минимальный заказ: 25 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 60V 310mW
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| Width | 1.4mm |
| Тип | Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| FET Type | N-Channel |
| Pin Count | 3 |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Вес, г | 7 |
| Длина | 2.9 mm |
| Серия | BS870 |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-23 |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Высота | 1 mm |
| Корпус | SOT-23 |
| Ширина | 1.3 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Продукт | MOSFET Small Signal |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250ВµA |
| Структура | N-Channel |
| Base Product Number | BS870 -> |
| Transistor Material | Si |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5Ohm @ 200mA, 10V |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Power Dissipation (Max) | 300mW (Ta) |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 300 mW |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Maximum Drain Source Resistance | 5 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 250 mA |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 10V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 250mA (Ta) |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 300 mW |
| Id - непрерывный ток утечки | 250 mA |
| Крутизна характеристики, S | 80 mS |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 5 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 5 ns |
| Типичное время задержки при включении | 2 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.25 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 80 mS |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |