Diodes P-channel vertical DMOS FET, -45 V, -90 mA, TO-236, BS250FTA
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8026839388
- Артикул
- BS250FTA
- Бренд
- DIODES INC.
- Width
- 1.4mm
- Тип
- FET
- Version
- P-channel
- Assembly
- SMD
Цена по запросу
(от 86 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы серии BS. Теxнические xарактеристики (тип, комплектация, производитель): BS250FTA, SOT23, диоды
Технические параметры
| Width | 1.4mm |
| Тип | FET |
| Version | P-channel |
| Assembly | SMD |
| Enclosure | TO-236 |
| Pin Count | 3 |
| Power loss | 330 mW |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 2.9 mm |
| Серия | BS250 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P Channel |
| Max. current | -90 mA |
| Package Type | SOT-23 |
| max. Voltage | -45 V |
| Высота | 1 mm |
| Ширина | 1.3 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Продукт | MOSFET Small Signal |
| Power Dissipation | 330мВт |
| Структура | P-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | P Channel; Continuous Drain Current Id |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 10 ns |
| Особенности | vertical dmos fet |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 330 mW |
| max. operating temperature | 150 °C |
| min. operating temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 45 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 14 Ω |
| Время нарастания | 10 ns |
| Drain Source On State Resistance | 9Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 90 mA |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 90мА |
| Рассеиваемая Мощность | 330мВт |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3.5В |
| Pd - рассеивание мощности | 330 mW (1/3 W) |
| Id - непрерывный ток утечки | 90 mA |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 45В |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 9 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 45 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 10 ns |
| Типичное время задержки при включении | 10 ns |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 9Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.09 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.33 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 14 Ω |