BS170P, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,27А; Idm: 3А; 0,625Вт; TO92
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070231113
- Артикул
- BS170P
- Бренд
- DIODES INC.
- PPAP
- No
- EU RoHS
- Compliant
- Mounting
- Through Hole
- ECCN (US)
- EAR99
Цена по запросу
(от 148,36 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор MOSFET N-CH 60V 0,27A с 3-контактным разъемом E-Line
Технические параметры
| PPAP | No |
| EU RoHS | Compliant |
| Mounting | Through Hole |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Through Hole |
| Вес, г | 0.16 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Product Category | Small Signal |
| Supplier Package | E-Line |
| Process Technology | DMOS |
| Standard Package Name | TO-92 |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 60pF@10V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 625 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 60 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 0.27 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 60@10V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 5000@10V |