Моя заявка (0)

BS170F, Power MOSFET, N Channel, 60 V, 150 mA, 5 ohm, SOT-23, Surface Mount

BS170F, Power MOSFET, N Channel, 60 V, 150 mA, 5 ohm, SOT-23, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8369446832
Артикул
BS170F
Бренд
DIODES INC.
Type
Small Signal
Mounting
Surface Mount
Polarity
N
Packaging
Tape and Reel
Цена по запросу
(от 192 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

BS170F от Diode Inc - это вертикальный DMOS-полевой транзистор с N-канальным расширением в корпусе SOT-23 для поверxностного монтажа. • Соответствует стандарту AEC-Q101 для автомобильной промышленности • Напряжение между стоком и источником (Vds) составляет 60 В • Напряжение между затвором и источником (Vgs) ±20 • Постоянный ток стока (Id) от 0,15мА до 25°C • Рассеиваемая мощность (pd) 330 МВт • Диапазон рабочиx температур от -55°C до 150°C • Низкое сопротивление в рабочем состоянии - 5 Ом при напряжении 10 В

Технические параметры

TypeSmall Signal
MountingSurface Mount
PolarityN
PackagingTape and Reel
Pin Count3
Вес, г0.03
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN Channel
Package TypeSOT-23
Rad HardenedNo
КорпусSOT-23
Power Dissipation330мВт
Number of Elements1
СтруктураN-Channel
Drain-Source On-Res5(ohm)
Drain-Source On-Volt60(V)
Operating Temp Range-55C to 150C
Особенности-
Continuous Drain Current0.00015(A)
Gate-Source Voltage (Max)'±20(V)
Drain Source On State Resistance5Ом
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Operating Temperature ClassificationMilitary
Непрерывный Ток Стока150мА
Рассеиваемая Мощность330мВт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs3В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds60В
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-23
Пороговое напряжение на затворе1…2.5 В
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)5Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А0.15
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)5 Ом

Техническая документация