BS170-D27Z, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 500мА, 830мВт, TO92
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024919829
- Артикул
- BS170-D27Z
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type:
- FET
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Series:
- BS170
- Product:
- MOSFET Small Signal
Цена по запросу
(от 38 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 500мА, 830мВт, TO92 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Type: | FET |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series: | BS170 |
| Product: | MOSFET Small Signal |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-92-3 |
| Part # Aliases: | BS170_D27Z |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 350 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 500 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 0.32 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.2 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 800 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2000 |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.83 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |